碳化硅
2016年開始進行碳化硅的研發，19年開始量產6寸外延，21年中標國家工信部碳化硅外延產業化項目。產品通過車規級驗證，已向國內多家車規級功率器件廠家批量供貨,已應用在多家主要新能源車主驅模塊和電源上
產品介紹:
碳化硅作為第三代半導體具有一系列優良的物理化學特性，碳化硅器件相對于硅器件的優勢如下:
耐高溫：碳化硅的禁帶寬度和熱導率均為硅的 3 倍左右（Si 1.12eV SiC 3.23eV），理論上碳化硅器件能在超 600℃的環境下工作，硅器件的極限工作環境局限在175℃
耐高壓：碳化硅的擊穿電場強度是硅的10倍左右，極大地提高了器件的耐壓特性
低損耗: 碳化硅擁有約2倍于硅的飽和電子漂移速率與極低的導通電阻，能夠降低能量損耗，如相同規格的碳 化硅基MOSFET 較硅基IGBT 的總能量損耗可降低70%
主要應用領域：
新能源汽車（主驅芯片和OBC）、光伏逆變、充電樁、軌道交通、儲能、智能電網、大數據工控電源等領域，其中車用占70%
